Sasaran Sputtering Ti50Al50

Sasaran Sputtering Ti50Al50

Sputtering Targets Ti50Al50 dihasilkan oleh teknologi HIP, digunakan secara meluas untuk salutan alat dan salutan hiasan. Berbanding dengan teknologi lebur, sasaran TiAl yang dihasilkan oleh teknologi HIP mempunyai struktur dalaman mikro yang lebih seragam, saiz butiran yang lebih kecil, dan sesuai untuk pelbagai mesin sputtering magnetron dan mesin penyaduran ion.
Hantar pertanyaan
Penerangan Produk

 

Kami membekalkan sasaran sputtering berkualiti tinggi Ti50Al50 sasaran sputtering, sasaran seramik, sasaran logam.

Sputtering Targets Ti50Al50 dihasilkan oleh teknologi HIP, digunakan secara meluas untuk salutan alat dan salutan hiasan. Berbanding dengan teknologi lebur, sasaran TiAl yang dihasilkan oleh teknologi HIP mempunyai struktur dalaman mikro yang lebih seragam, saiz butiran yang lebih kecil, dan sesuai untuk pelbagai mesin sputtering magnetron dan mesin penyaduran ion. Pengguna akhir boleh mendapatkan kadar hakisan yang berterusan serta salutan filem nipis ketulenan tinggi dan homogen semasa proses PVD.


Alat yang disalut oleh filem nipis TiAl mempunyai kelajuan suapan yang lebih tinggi, prestasi pemotongan yang lebih baik, hayat perkhidmatan yang lebih lama dan kadar penyingkiran logam yang lebih tinggi boleh dicapai tanpa kesukaran.

Sasaran Sputtering Ti50Al50 kami dihasilkan melalui proses HIP lanjutan dan proses penekan panas vakum, termasuk sasaran planar, sasaran arka bulat, sasaran silinder (dibuat dengan kaedah pembentukan monolitik), dll. Ia mempunyai ciri nisbah komponen yang luas (daripada 10at%{{3 }}pada% untuk komponen Al), ketulenan dan ketumpatan tinggi, butiran halus dan sekata serta hayat perkhidmatan yang lebih lama, dsb.

Nisbah komponen biasa untuk sasaran TiAl termasuk 33:67at%, 50:50at% dan 70:30at%, dsb.

 

Parameter Produk

 

Komponen kimia (pada%)

Ti33Al67

Ti50Al50

Ti70Al30

Kesucian (%)

99.8

99.8

99.8

Ketumpatan (g/cm³)

3.29

3.60

3.95

Saiz bijian (μm)

Kurang daripada atau sama dengan 100

Kurang daripada atau sama dengan 100

Kurang daripada atau sama dengan 100

Kekonduksian haba (W/mK)

98

70

40

Pengembangan haba (1/K)

1.9*10-5

1.75*10-5

1.35*10-5

Dimensi spesifikasi (mm)

Sasaran silinder:
Pembentukan monolitik melalui proses HIP
Panjang: Kurang daripada atau sama dengan 2000
Ketebalan: Kurang daripada atau sama dengan 15

 

Cool tags: sasaran sputtering ti50al50, China sputtering target ti50al50 pembekal, kilang